半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管检测

电议

栅极-发射极漏电流 IGES 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.5

检测项目

栅极-发射极漏电流 IGES

半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.5-只测：-20mA~20mA

支持报告类型：电子报告、纸质报告

支持报告语言：中文报告、英文报告、中英文报告

报告盖章资质： CMA；CNAS

服务周期： 3-10个工作日（特殊样品除外）

服务地区：全国

检测用途：电商平台入驻；商超卖场入驻；产品质量改进；产品认证；出口通关检验等

取样方式：快递邮寄或上门取样

样品要求：样品数量及规格等视检测项而定

服务详情

检测标准

检测项目栅极-发射极漏电流 IGES

检测标准号 GBT GB/T 29332-2012

检测方法名半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.5

限制说明只测：-20mA~20mA

服务简介

服务范围：GB、GB/T、FZ/T品控检测、各类电商平台、商超卖场入驻质检。

服务流程

合作机构资质

报告样例

平台优势

百检介绍

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