基于瞬态双界面法的单一路径散热半导体器件结壳热阻测试方法检测

电议

热阻基于瞬态双界面法的单一路径散热半导体器件结壳热阻测试方法 JESD51-14 (2010)

检测项目

热阻

基于瞬态双界面法的单一路径散热半导体器件结壳热阻测试方法 JESD51-14 (2010)-只测：电流施加：0.5mA～50A 电压施加：10mV～30V 电压测量：1mV～4.9V K系数校正温度：20℃～150℃ 定时：5us～1000s

支持报告类型：电子报告、纸质报告

支持报告语言：中文报告、英文报告、中英文报告

报告盖章资质： CMA；CNAS

服务周期： 3-10个工作日（特殊样品除外）

服务地区：全国

检测用途：电商平台入驻；商超卖场入驻；产品质量改进；产品认证；出口通关检验等

取样方式：快递邮寄或上门取样

样品要求：样品数量及规格等视检测项而定

服务详情

检测标准

检测项目热阻

检测标准号 JESD51-14 (2010)

检测方法名基于瞬态双界面法的单一路径散热半导体器件结壳热阻测试方法 JESD51-14 (2010)

限制说明只测：电流施加：0.5mA～50A 电压施加：10mV～30V 电压测量：1mV～4.9V K系数校正温度：20℃～150℃ 定时：5us～1000s

服务简介

服务范围：GB、GB/T、FZ/T品控检测、各类电商平台、商超卖场入驻质检。

服务流程

合作机构资质

报告样例

平台优势

百检介绍

相关标准

《GB/T29332-2012》半导体器件分立器件第 9 部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
《GB/T6571-1995》半导体分立器件试验第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
《GB/T4023-2015》半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管
《GB/T6571-1995》半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

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