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集电极-发射极饱和电压 半导体器件分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.2
电议
集电极-发射极饱和电压 半导体器件分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.2
集电极-发射极饱和电压 半导体器件分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.2
检测项目
  • 集电极-发射极饱和电压
    半导体器件分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.2-只测:IGBT封装模块的器件静态参数,工作电压<2000V;电流<1500A;饱和电压<60V;

支持报告类型: 电子报告、纸质报告

支持报告语言: 中文报告、英文报告、中英文报告

报告盖章资质: CMA;CNAS

服务周期: 3-10个工作日(特殊样品除外)

服务地区: 全国

检测用途: 电商平台入驻;商超卖场入驻;产品质量改进;产品认证;出口通关检验等

取样方式: 快递邮寄或上门取样

样品要求: 样品数量及规格等视检测项而定

服务详情
检测标准
  • 检测项目 集电极-发射极饱和电压

    检测标准号 GBT GB/T 29332-2012

    检测方法名 半导体器件分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.2

    限制说明 只测:IGBT封装模块的器件静态参数,工作电压<2000V;电流<1500A;饱和电压<60V;


服务简介


服务范围:GB、GB/T、FZ/T品控检测、各类电商平台、商超卖场入驻质检。


服务流程



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