半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理检测

电议

输出高阻态时高电平电流 IOZH 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996 2.4

检测项目

输出高阻态时高电平电流 IOZH

半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996 2.4-只测：±200mA 仅针对特定客户的特定产品

支持报告类型：电子报告、纸质报告

支持报告语言：中文报告、英文报告、中英文报告

报告盖章资质： CMA；CNAS

服务周期： 3-10个工作日（特殊样品除外）

服务地区：全国

检测用途：电商平台入驻；商超卖场入驻；产品质量改进；产品认证；出口通关检验等

取样方式：快递邮寄或上门取样

样品要求：样品数量及规格等视检测项而定

服务详情

检测标准

服务简介

服务范围：GB、GB/T、FZ/T品控检测、各类电商平台、商超卖场入驻质检。