低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求检测

电议

温升和耗散功率低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016/IEC 60269-4(Ed 5.0):2012 /8.3/8.3

检测项目

温升和耗散功率

低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016/IEC 60269-4(Ed 5.0):2012 /8.3/8.3-

支持报告类型：电子报告、纸质报告

支持报告语言：中文报告、英文报告、中英文报告

报告盖章资质： CMA；CNAS

服务周期： 3-10个工作日（特殊样品除外）

服务地区：全国

检测用途：电商平台入驻；商超卖场入驻；产品质量改进；产品认证；出口通关检验等

取样方式：快递邮寄或上门取样

样品要求：样品数量及规格等视检测项而定

服务详情

检测标准

检测项目温升和耗散功率

检测标准号 GB/T 13539.4-2016

检测方法名低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016/IEC 60269-4(Ed 5.0):2012 /8.3/8.3

限制说明

服务简介

服务范围：GB、GB/T、FZ/T品控检测、各类电商平台、商超卖场入驻质检。

服务流程

合作机构资质

报告样例

平台优势

百检介绍

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《GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 》低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012
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《GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 》低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 8.4.3.1b）
《GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012》低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 8.3
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