GB/T 13150-2005 半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范 现行

标准号：GB/T 13150-2005
中文标准名称：半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三*晶闸管空白详细规范
英文标准名称：Semiconductor devices Discret devices Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient and case-rated,for currents greater than 100A
标准状态：现行,发布于2005-03-23; 实施于2005-10-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2005-03-23
实施日期：2005-10-01
中国标准分类号：31.080.20
国际标准分类号：31.080.20
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门：工业和信息化部（电子）
全部替代标准：GB/T 13150-1991
采标情况：本标准非等效采用IEC国际标准：IEC 60747-6-2:1991。
采标中文名称:。
相近标准：GB/T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三*晶闸管空白详细规范; 20031305-T-604 电流100A以上环境或管壳额定双向三*晶闸管空白详细规范; GB/T 13150-1991 100A以上环境或管壳额定双向三*晶闸管空白详细规范; 20031304-T-604 电流100A以上环境或管壳额定反向阻断三*晶闸管空白详细规范; GB/T 13151-1991 100A以上环境或管壳额定反向阻断三*晶闸管空白详细规范; GB/T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三*闸流晶体管空白详细规范; GB/T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 **篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三*闸流晶体管空白详细规范; JB/T 8950.2-1999 电流大于100A普通晶闸管; GB/T 12560-1999 半导体器件 分立器件分规范; JB/T 10097-2000 电力半导体器件用管壳