GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法 现行

标准号：GB/T 15653-1995
中文标准名称：金属氧化物半导体气敏元件测试方法
英文标准名称：Measuring methods for gas sensors of metal-oxide semiconductor
标准状态：现行,发布于1995-07-24; 实施于1996-04-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：1995-07-24
实施日期：1996-04-01
中国标准分类号：31.020
国际标准分类号：31.020
归口单位：工业和信息化部（电子）
执行单位：工业和信息化部（电子）
主管部门：工业和信息化部（电子）
起草单位：电子工业部标准化研究所
相近标准：GB/T 15652-1995 金属氧化物半导体气敏元件总规范; 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的自由离子试验; 20210839-T-339 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的温度偏置稳态试验; 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的温度偏置稳态试验; SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范; SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法; GB/T 31359-2015 半导体激光器测试方法; 20112015-T-604 半导体激光器测试方法; SJ/T 10482-1994 半导体深能级的瞬态电容测试方法; GB/T 13974-1992 半导体管特性图示仪测试方法