GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分;场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范

标准号：GB/T 6219-1998
中文标准名称：半导体器件 分立器件 第8部分;场效应晶体管 **篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范
英文标准名称：Semiconductor devices--Discrete devices. Part 8: Field-effect transistors. Section One--Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
标准类型：L42
发布日期：1998/11/17 12:00:00
实施日期：1999/6/1 12:00:00
中国标准分类号：L42
国际标准分类号：31.080.30
适用范围： 本空白详细规范规定了制定1GHz、5W以下的单栅杨效应晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范与本空白详细规范一致。 本空白规范是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》DEC 747-10：1984）和GB/T 1260-900《半导体器件 分立器件规范》（IEC 747.11：1985）有关的一系列空白详细规范中的一个。