R模块,可以进行变磁场及变温度下的直流电阻率测试。
ETO模块,可以进行电阻测试、IV特性测试、dI/dV测试,均为直流测试。结合温度磁场条件,可以进行电阻温度系数测试、霍尔效应测试(测算载流子浓度及迁移率)、磁电阻特性(例如巨磁阻效应)。
VSM模块是一种快速、灵敏的直流磁强计(不能测试交流磁化率!),可完成磁性粉末、薄膜的磁滞回线、起始磁化曲线、磁弛豫曲线和温度特性曲线等的测试:
1.磁滞回线M-H:系统可提供[-9T,9T]的磁场和[1.8K,400K]的温度环境,可完成特定温度下的垂直/面内起始磁化曲线和磁滞回线测试。
2.变温磁化曲线M-T:零场冷(zero-field cooled,ZFC)变温磁化测试可到达低温*限为2 K, 场冷(field cooled,FC)变温磁化测试可到达温度下限为2.5 K。
3.磁弛豫曲线M-t