GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法

标准简介

本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL２浓度红外吸收测试方法。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2浓度测定。
英文名称：Test method for deep level EL2 concentration of undoped semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method
标准状态：作废
替代情况：SJ 3249.4-1989;被GB/T 17170-2015代替
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家技术监督局
发布日期：1997-01-02
实施日期：1998-08-01
作废日期：2016-07-01
出版日期：2004-04-12
页数：平装16开， 页数：7， 字数：9千字

前言

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