标准简介
本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体缺陷的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度测量。硅外延层厚度应大于2μm。测量范围为0~10000cm-2。英文名称：Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon by etching techniques
标准状态：作废
替代情况：被GB/T 14142-2017代替
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H26金属无损检验方法
ICS分类：29.040.30
发布部门：国家技术监督局
发布日期：1993-02-06
实施日期：1993-10-01
作废日期：2018-04-01
出版日期：1993-10-01
页数：7页
前言
金属无损检验方法相关标准
.png)
.png)
