标准简介
本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法。本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析。英文名称：Test method for measuring compensation degree of silicon materials used for photovoltaic applications
标准状态：现行
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H82元素半导体材料
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2013-11-12
实施日期：2014-04-15
出版日期：2014-04-15
页数：8页
前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、无锡尚德太阳能电力有限公司、国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司。本标准主要起草人:董颜辉、何秀坤、郑彩萍、裴会川、冯亚彬、路景刚、张雪囡。
.png)
