标准简介
本规范规定了3DD6B~I型功率晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).英文名称：Semiconductor discrete device-Detail specification for Type 3DD6 power transistor
标准状态：现行
中标分类：矿业>>矿业综合>>D01技术管理
发布部门：中国电子工业总公司
发布日期：1992-11-19
实施日期：1993-05-01
出版日期：1993-04-01
页数：12页
前言
GB 4587-1984 双*型晶体管测试方法GB 7092-1986 半导体集成电路外形尺寸GJB 33-1985 半导体分立器件总规范GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
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