SJ 20012-1992 半导体分立器件ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ４型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

百检网 2022-10-28

标准简介

本规范规定了CS4型硅N沟道蜡型场效应晶体e(以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33-8585《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级）。级).
英文名称：Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS4 GP,GT and GCT classes
标准状态：现行
中标分类：综合>>标准化管理与一般规定>>A01技术管理
发布日期：1992-02-01
实施日期：1992-05-01
页数：11页

前言

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