标准简介
本标准规定了N/N、P/P结构硅外延片的检测方法。其检测项目有外延层电阻率、外延层厚度、层错密度、位错密度、夹层和表面缺陷等英文名称:Method of inspection for silicon epitaxial wafers
标准状态:现行
中标分类:冶金>>半金属与半导体材料>>H81半金属
发布部门:第四机械工业部
发布日期:1980-03-01
实施日期:1980-06-01
作废日期:2010-02-01
出版日期:1980-06-01
页数:9页
前言
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