标准简介
本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于4倍的扩散长度。 本标准修改采用SEMI MF 391-1106《非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法》。本标准与SEMI MF 391-1106相比主要有如下变化：———标准格式按GB/T 1.1要求编排；———将SEMI MF 391-1106中的部分注转换为正文；———将SEMI MF 391-1106中部分内容进行了编排。英文名称：Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-steady-state surface photovoltage
标准状态：作废
替代情况：被YS/T 679-2018代替
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家发展和改革委员会
发布日期：2008-03-12
实施日期：2008-09-01
作废日期：2019-04-01
出版日期：2008-05-01
页数：16页
前言
本标准修改采用SEMIMF391-1106《非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法》。本标准与SEMIMF391-1106相比主要有如下变化:---标准格式按GB/T1.1要求编排;---将SEMIMF391-1106中的部分注转换为正文;---将SEMIMF391-1106中部分内容进行了编排。本标准由全国有色金属标准化技术委员会提出并归口。本标准由有研半导体材料股份有限公司负责起草。本标准主要起草人:孙燕、卢立延、杜娟、李俊峰、翟富义。
