GB/T 32999-2016 表面化学分析 深度剖析 用机械轮廓仪栅网复型法测量溅射速率 现行

标准号：GB/T 32999-2016
中文标准名称：表面化学分析 深度剖析 用机械轮廓仪栅网复型法测量溅射速率
英文标准名称：Surface chemical analysis—Depth profiling—Measurement of sputtering rate: mesh-replica method using a mechanical stylus profilometer
标准状态：现行,发布于2016-10-13; 实施于2017-09-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2016-10-13
实施日期：2017-09-01
中国标准分类号：71.040.40
国际标准分类号：71.040.40
归口单位：全国微束分析标准化技术委员会
执行单位：全国微束分析标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草单位：北京师范大学分析测试中心;清华大学分析中心
采标情况：本标准等同采用ISO国际标准：ISO/TR 22335:2007。
采标中文名称:表面化学分析 深度剖析 用机械轮廓仪栅网复型法测量溅射速率。
相近标准：20131700-T-469 表面化学分析 深度剖析 用机械轮廓仪栅网复型法测量溅射速率; GB/T 29557-2013 表面化学分析 深度剖析 溅射深度测量; 20110886-T-469 表面化学分析 深度剖析 溅射深度测量; 20192092-T-469 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法; 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法; GB/T 20175-2006 表面化学分析 溅射深度剖析 用层状膜系为参考物质的优化方法; 20020617-T-469 表面化学分析 溅射深度剖析 用层状膜系为参考物质的优化方法; 20193156-T-469 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法; 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法; 表面化学分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准及相关电流或电流密度测量