GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法 废止

标准号：GB/T 14863-2013
中文标准名称：用栅控和非栅控二*管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
英文标准名称：Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
标准状态：废止,发布于2013-12-31; 实施于2014-08-15; 废止于2017-12-15
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2013-12-31
实施日期：2014-08-15
中国标准分类号：29.045
国际标准分类号：29.045
归口单位：工业和信息化部（电子）
执行单位：工业和信息化部（电子）
主管部门：工业和信息化部（电子）
起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心;中国电子技术标准化研究院;中国电子科技集团公司第四十六研究所
全部替代标准：GB/T 14863-1993
相近标准：20063926-T-339 用栅控和非栅控二*管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法; GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二*管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法; GB/T 11068-1989 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法; GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法; 20021944-T-610 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法; GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法; 20065633-T-469 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法; GB/T 14146-1993 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法; 20181807-T-469 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法; 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法