GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法 现行

标准号：GB/T 25188-2010
中文标准名称：硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
英文标准名称：Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
标准状态：现行,发布于2010-09-26; 实施于2011-08-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2010-09-26
实施日期：2011-08-01
中国标准分类号：71.040.40
国际标准分类号：71.040.40
归口单位：全国微束分析标准化技术委员会
执行单位：全国微束分析标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草单位：中国科学院化学研究所;中国计量科学研究院
相近标准：20091365-T-469 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法; GB/T 25184-2010 X射线光电子能谱仪检定方法; 20075691-T-469 X射线光电子能谱仪检定方法; 表面化学分析 X射线光电子能谱 X射线光电子能谱仪日常性能的评估方法; GB/T 30704-2014 表面化学分析 X射线光电子能谱 分析指南; 20121403-T-469 表面化学分析 X射线光电子能谱 分析指南; 20201568-T-469 表面化学分析—电子能谱—X射线光电子能谱峰拟合的*低报告要求; 表面化学分析—电子能谱—X射线光电子能谱峰拟合的*低报告要求; GB/T 36401-2018 表面化学分析 X射线光电子能谱 薄膜分析结果的报告; GB/Z 32490-2016 表面化学分析 X射线光电子能谱 确定本底的程序