GB/T 13539.4-2009 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

标准号：GB/T 13539.4-2009
中文标准名称：低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求
英文标准名称：Low-voltage fuses.Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices
标准类型：K31
发布日期：2009/4/21 12:00:00
实施日期：2009/11/1 12:00:00
中国标准分类号：K31
国际标准分类号：29.120.50
引用标准：GB/T 321-2005;GB 13539.1-2008;GB/T 13539.2-2008;GB 13539.3-2008;IEC 60417
适用范围：除GB 13539. 1-2008规定外，补充下列要求。 半导体设备保护用的熔断体应符合GB 13539. 1-2008的所有要求，下文中没有另外指明的，也应符合本部分规定的补充要求。 本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1000 V或直流1 500 V的电路。如适用，还可用于更高的标称电压的电路。 本部分的目的是确定半导体熔断体的特性，从而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此，本部分中特别规定了: a)熔断体的下列特性: 1)额定值；2)正常工作时的温升；3)耗散功率； 4)时间-电流特性；5)分断能力； 6)截断电流特性和I