GB/T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分;闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范

标准号：GB/T 6590-1998
中文标准名称：半导体器件 分立器件 第6部分;闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三*闸流晶体管空白详细规范
英文标准名称：Semiconductor devices Discrete devices Part 6: Thyristors Section Two-Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient or case-rated,up to 100A
标准类型：L43
发布日期：1998/11/17 12:00:00
实施日期：1999/6/1 12:00:00
中国标准分类号：L43
国际标准分类号：31.080.20
适用范围： 本空白详细规范规定了制定100A以下（含 100A）环境或管壳额定的双向三及闸流晶体管（包括快速型）详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范一致。 本空白详细规范是与（GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》（IED 747-10：1984）和GB/T 8560-1990《半导体器件、分立器件规范》（IEC 747-11：1985）有关的一系列空白详细规范中的一个。