标准号：GB/T 19444-2004
中文标准名称：硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法
英文标准名称：Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction
标准类型：H26
发布日期：2004/2/5 12:00:00
实施日期：2004/7/1 12:00:00
中国标准分类号：H26
国际标准分类号：29.040.01
适用范围： 本标准规定了由测量硅片间隙氧含量的减少量来检验硅片氧沉淀特性的方法原理、取样规则、热处理程序、试验步骤、数据计算等内容。 本标准用于定性比较两批或多批集成电路用硅片间隙氧沉淀特性。
GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法
百检网 2021-08-04
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