标准简介
本标准规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。 本标准适用于双列(DIP)冲制型引线框架。单列冲制型引线框架亦可参照使用英文名称：Semiconductor integrated circuits—Specification for stamped leadframes of plastic DIP
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 14112-1993
中标分类：电子元器件与信息技术>>微电路>>L56半导体集成电路
ICS分类：电子学>>31.200集成电路、微电子学
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2015-05-15
实施日期：2016-01-01
出版日期：2016-01-01
页数：28页
前言
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准代替 GB/T14112—1993《半导体集成电路 塑封双列封装冲制型引线框架规范》。本标准与 GB/T14112—1993相比主要变化如下:———关于规范性引用文件:增加引导语;抽样标准由 GB/T2828.1—2012代替IEC410;增加引用文件 GB/T2423.60—2008、SJ20129;———增加术语和定义,并增加了标称长度、精压区共面性、芯片粘接区下陷的定义;———标准“4.2引线框架形状和位置公差”中,增加了芯片粘接区平面度、引线框架内部位置公差的有关要求;———修改了标准中对“侧弯”的要求(见4.2.1):原标准仅规定了侧弯小于0.05mm/150mm,本标准在整个标称长度上进行规定;———修改了标准中对“卷曲”的要求(见4.2.2):原标准中仅规定了卷曲变形小于0.5mm/150mm,本标准根据材料的厚度进行规定;———修改了标准中对“条带扭曲”的要求(见4.2.4):原标准中仅规定了框架扭曲小于0.5mm,本标准将框架扭曲修改为条带扭曲,并根据材料的厚度进行规定;———修改了标准中对“引线扭曲”的要求(见4.2.5):原标准中规定了引线扭曲的角度及其内引线端点的*大扭曲值,本标准删除了内引线端点*大扭曲值的规定;———修改了标准中对“精压深度”的要求(见4.2.6):在原标准的基础上,增加了*大精压深度与*小引线间距的相关要求;———修改了标准中对“绝缘间隙”的要求(见4.2.7):原标准中规定的绝缘间隙为0.15mm,本标准修改为0.1mm;———修改了标准中 对 “精 压 区 共 面 性”的 要 求 (见 4.2.8):原 标 准 中 规 定 了 引 线 框 架 条 宽 大 于50.8mm,精压区共面性为±0.25mm,本标准修改为±0.2mm;———修改了标准中对“芯片粘接区斜度”的要求(见4.2.9):原标准中分别规定了受压和不受压情况下的斜度,本标准统一规定为在长或宽每2.54mm 尺寸*大倾斜0.05mm;———对标准的“4.3引线框架外观”中相应条款进行了调整,原标准对引线框架外观要求按“功能区、其他区域”分别表示;本标准按“毛刺,凹坑、压痕和划痕”分别描述,并对原标准中“划痕”的要求适当加严,即在任何区域内“划痕”均不得超过1个;———修改了标准中对“局部镀银”的要求(见4.4.1.2):原标准中规定镀银层厚度不小于3.5μm(平均值),本标准修改为不小于3μm;———修改了标准中对“镀层外观”的要求(见4.4.2):在原标准的基础上,增加了对镀层外观的相关要求;———增加了“铜剥离试验”的有关要求(见4.6);———增加了“银剥离试验”的有关要求(见4.7);———修改了标准中对“检验要求”的要求:修改了原标准中 A1a、A1b、A2分组的检测水平及 AQL,并对 A1a、A1b,B2a、B2b分组进行合并;原标准中 B 组采用 LTPD 抽样方案,本标准将 B1、B2、B3修改为 AQL抽样方案,并增加 C3、C4检验的抽样要求;———修改了标准中对“贮存”的有关要求:原标准镀银引线框架保存期为三个月,本标准规定为6个月(见7.2)。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。本标准起草单位:厦门永红科技有限公司。本标准主要起草人:林桂贤、王锋涛、洪玉云。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:———GB/T14112—1993。
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