标准简介
本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验，硅外延层厚度大于2 μm，缺陷密度的测试范围0～10 000 cm-2?。英文名称：Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 14142-1993
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H25金属化学性能试验方法
ICS分类：冶金>>77.040金属材料试验
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2017-09-29
实施日期：2018-04-01
出版日期：2017-10-01
页数：12页【彩图】
前言
金属化学性能试验方法相关标准
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