标准简介
本标准给出了使用连续变波长、变角度的光谱型椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法。 本标准适用于测试硅基底上厚度均匀、各向同性、10nm~1000nm 厚的二氧化硅薄层厚度,其他对测试波长处不透光的基底上单层介电薄膜样品厚度测量可以参考此方法。英文名称：Test method for the thickness of silicon oxide on Si substrate by ellipsometer
标准状态：现行
中标分类：机械>>机械综合>>J04基础标准与通用方法
ICS分类：计量学和测量、物理现象>>长度和角度测量>>17.040.01长度和角度测量综合
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2014-09-30
实施日期：2015-04-15
出版日期：2015-04-15
页数：12页
前言
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准由中国科学院提出。本标准由全国纳米技术标准化技术委员会(SAC/TC279)归口。本标准起草单位:上海交通大学、纳米技术及应用国家工程研究中心。本标准主要起草人:金承钰、李威、梁齐、路庆华、何丹农、张冰
