标准简介
本文件描述了用扇形磁场或四*杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法，以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。 本文件适用于硼原子浓度范围1×1016 atoms/cm3～1×1020 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅或非晶硅样品，溅射弧坑深度在50 nm及以上。英文名称：Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of boron in silicon
标准状态：现行
中标分类：化工>>化工综合>>G04基础标准与通用方法
ICS分类：化工技术>>分析化学>>71.040.40化学分析
发布部门：国家市场监督管理总局.
发布日期：2021-05-21
实施日期：2021-12-01
出版日期：2021-05-01
页数：16页
前言
基础标准与通用方法相关标准
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