标准简介
本标准规定了微结构加工时,光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则。本标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积(PVD)、离子注入、反应离子刻蚀(RIE)、氢氧化钾(KOH)腐蚀、硅-玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。英文名称：Silicon-based MEMS fabrication technology—The basic regulation of layout design
标准状态：现行
中标分类：电子元器件与信息技术>>微电路>>L55微电路综合
ICS分类：电子学>>31.200集成电路、微电子学
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2012-05-11
实施日期：2012-12-01
出版日期：2012-12-01
页数：16页
前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。本标准起草单位:北京大学、中机生产力促进中心、中国电子科技集团第十三研究所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、西北工业大学。本标准主要起草人:张大成、王玮、刘伟、杨芳、姜森林、崔波、熊斌、乔大勇。
