标准简介
本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种方式。本标准适用于直径不小于30mm、厚度为0.13mm~1mm 的碳化硅单晶片英文名称：Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
标准状态：现行
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H83化合物半导体材料
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2014-07-24
实施日期：2015-02-01
出版日期：2015-02-01
页数：8页
前言
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。本标准主要起草人:丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川。
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