SJ/T 11586-2016 半导体器件 10keV低能X射线总剂量辐射试验方法

百检网 2022-10-28

标准简介

本标准规定了使用 X 射线辐射仪（光子平均能量约 10keV，*大光子能量不超过100keV）对半导体器件和电路进行电离辐射效应试验的方法和程序。适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。
标准状态：现行
发布部门：工业和信息化部
发布日期：2016-01-15
实施日期：2016-06-01
出版日期：2016-06-01
页数：6页

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