GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 现行

标准号：GB/T 1553-2009
中文标准名称：硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
英文标准名称：Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay
标准状态：现行,发布于2009-10-30; 实施于2010-06-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
中国标准分类号：29.045
国际标准分类号：29.045
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草单位：峨嵋半导体材料厂
全部替代标准：GB/T 1553-1997
相近标准：GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法; 20063373-T-469 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法; 20210889-T-469 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法; 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法; GB/T 26068-2018 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法; 20151792-T-469 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法; GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法; 20081130-T-469 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法; 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法; DB65/T 3485-2013 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法