GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 现行

标准号：GB/T 14146-2009
中文标准名称：硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
英文标准名称：Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
标准状态：现行,发布于2009-10-30; 实施于2010-06-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
中国标准分类号：29.045
国际标准分类号：29.045
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草单位：南京国盛电子有限公司;信息产业部专用材料质量监督检验中心;宁波立立电子股份有限公司
全部替代标准：GB/T 14146-1993
相近标准：20065633-T-469 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法; GB/T 14146-1993 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法; 20181807-T-469 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法; 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法; GB/T 11068-1989 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法; GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法; 20021944-T-610 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法; 20063926-T-339 用栅控和非栅控二*管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法; GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二*管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法; YS/T 679-2018 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法