GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 现行

标准号：GB/T 6617-2009
中文标准名称：硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
英文标准名称：Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
标准状态：现行,发布于2009-10-30; 实施于2010-06-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
中国标准分类号：29.045
国际标准分类号：29.045
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草单位：南京国盛电子有限公司;宁波立立电子股份有限公司
全部替代标准：GB/T 6617-1995
相近标准：GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法; 20065629-T-469 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法; 20181809-T-469 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法; 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法; GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法; GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法; YS/T 602-2017 区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法; YS/T 602-2007 区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法; 20151666-T-491 纳米技术 碳纳米管粉体电阻率 四探针法; GB/T 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法