标准号:GB/T 15450-1995
中文标准名称:硅双栅场效应晶体管 空白详细规范
英文标准名称:Blank detail specification for silicon dual-gate field-effect transistors
标准状态:废止,发布于1995-01-05; 实施于1995-08-01; 废止于2004-10-14
标准类型:国家标准
标准性质:推荐性
发布日期:1995-01-05
实施日期:1995-08-01
中国标准分类号:31.080.99
国际标准分类号:31.080.99
归口单位:全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位:全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门:工业和信息化部(电子)
起草单位:上海无线电十四厂
采标情况:本标准等同采用IEC国际标准:IEC 747-8-1。
采标中文名称:。
相近标准:GB/T 15449-1995 管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范; GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 **篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范; GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二*管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范; 20030156-T-339 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二*管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范; GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管; 20061346-T-339 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管; SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范; GB/T 6218-1996 开关用双*型晶体管空白详细规范; 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的自由离子试验; 20210839-T-339 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的温度偏置稳态试验