GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法 现行

标准号：GB/T 11073-2007
中文标准名称：硅片径向电阻率变化的测量方法
英文标准名称：Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
标准状态：现行,发布于2007-09-11; 实施于2008-02-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2007-09-11
实施日期：2008-02-01
中国标准分类号：77.040.01
国际标准分类号：77.040.01
归口单位：中国有色金属工业协会
执行单位：中国有色金属工业协会
主管部门：中国有色金属工业协会
起草单位：峨嵋山半导体材料厂
全部替代标准：GB/T 11073-1989
相近标准：GB/T 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法; 20031799-T-610 硅片径向电阻率变化的测量方法; GB/T 351-2019 金属材料 电阻率测量方法; 20162435-T-605 金属材料 电阻率测量方法; GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法; 20062373-T-469 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法; GB/T 14144-1993 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法; GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法; 20075054-T-469 锗单晶电阻率直流四探针测量方法; GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法