标准号:GB/T 4058-2009
中文标准名称:硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
英文标准名称:Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
标准类型:H80
发布日期:2009/10/30 12:00:00
实施日期:2010/6/1 12:00:00
中国标准分类号:H80
国际标准分类号:29.045
引用标准:GB/T 1554;GB/T 14264;YS/T 209
适用范围:本标准规定了硅抛光氧化绣生缺陷的检验方法。本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中绣生或增强的晶体缺陷的检测。硅单晶氧化绣生缺陷的检验也可参照此方法。