GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

百检网 2021-07-13

标准号：GB/T 26066-2010
中文标准名称：硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
英文标准名称：Practice for shallow etch pit detection on silicon
标准类型：H80
发布日期：2011/1/10 12:00:00
实施日期：2011/10/1 12:00:00
中国标准分类号：H80
国际标准分类号：29.045
引用标准：GB/T 14264
适用范围：本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。本标准适用于检测<111>或<100>晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于0.001Ω·cm。

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