QJ 10005-2008 宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南

标准号：QJ 10005-2008
中文标准名称：宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南
英文标准名称：Test guidelines of single event effects induced by heavy ions of semiconductor devices for space applications
标准类型：L40
发布日期：2008/2/16 12:00:00
实施日期：2008/6/1 12:00:00
中国标准分类号：L40
引用标准：GB 4792-1984;GJB 1649-1993;GJB 2712-1996;GJB 3756-1999
适用范围：本指导性技术文件给出了宇航用半导体器件（以下简称器件）重离子辐照引起的单粒子效应的试验指南，包括试验要求、试验方法和试验程序。本指导性技术文件适用的单粒子效应包括单粒子翻转、单粒子锁定、单粒子扰动等。不包括功率MOS器件的单粒子烧毁。本指导性技术文件中的半导体器件包括半导体集成电路和半导体分立器件。