标准号:GB/T 14863-2013
中文标准名称:用栅控和非栅控二*管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
英文标准名称:Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
标准状态:废止
发布日期:2013-12-31
实施日期:2014-08-15
中国标准分类号:H80
国际标准分类号:29.045
归口单位:工业和信息化部(电子)