GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法

百检网 2021-07-19

标准号：GB/T 11073-2007
中文标准名称：硅片径向电阻率变化的测量方法
英文标准名称：Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
标准类型：H17
发布日期：2007/9/11 12:00:00
实施日期：2008/2/1 12:00:00
中国标准分类号：H17
国际标准分类号：77.040.01
引用标准：GB/T 1552;GB/T 2828;GB/T 6618-1995;GB/T 12965
适用范围：本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1X10¯³Ω·cm～3×10³ Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。

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