GB/T 18210-2000 晶体硅光伏(PV)方阵I-V特性的现场测量

标准号：GB/T 18210-2000
中文标准名称：晶体硅光伏(PV)方阵I-V特性的现场测量
英文标准名称：Crystalline silicon photovoltaic(PV) array-On-site measurement of I-V characteristics
标准类型：K83
发布日期：2000/10/17 12:00:00
实施日期：2001/5/1 12:00:00
中国标准分类号：K83
国际标准分类号：27.160
适用范围： 本标准描述晶体硅光伏方阵特性的现场测量及将测得的数据外推到标准测试条件（STC）或其他选定的温度和辐照度条件下的程序。 光伏方阵在实际现场条件下的I-V特性测量及其验收测试条件（ATC）下的外推值，能够提供（参见附录A和IECQ QC001002）： a)功率额定值的数据； b)验证已安装的方阵功率性能是否符合设计规范； c)检测现场组件特性与实验室或工厂测量之间的差异； d)检测组件和方阵相对于现场初期数据的性能衰降。 对于某一个组件，现场测量经外推到标准测试条件（STC）的数据，可以直接与先前在实验室和工厂得到的结果相比较。条件是两者测量中使用的标准光伏器件具有相同的光谱响应和相同的空间分布响应。参见GB/T 6495（或IEC 60904）的相应标准。 由于现场方阵测量的数据包括了二*管、电缆以及失配损失。因此，它们不可直接同各组件数据之和相比较。 如果一个光伏方阵是由不同仰角、方位角、工艺、电气结构的若干个子方阵组成，这里描述的程序将只适用于每一个光伏子方阵。