标准号：GB/T 6617-2009
中文标准名称：硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
英文标准名称：Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
标准类型：H80
发布日期：2009/10/30 12:00:00
实施日期：2010/6/1 12:00:00
中国标准分类号：H80
国际标准分类号：29.045
引用标准：GB/T 1550;GB/T 1552;GB/T 1555;GB/T 14847
适用范围：本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围：10
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
百检网 2021-07-19
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