GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

标准号：GB/T 25188-2010
中文标准名称：硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
英文标准名称：Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
标准类型：G04
发布日期：2010/9/26 12:00:00
实施日期：2011/8/1 12:00:00
中国标准分类号：G04
国际标准分类号：71.040.40
引用标准：GB/T 22461;GB/T 19500;GB/T 21006;GB/T 22571
适用范围：本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6nm。