标准号：GB/T 14146-2009
中文标准名称：硅外延层载流子浓度测定.汞探针电容-电压法
英文标准名称：Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
标准类型：H80
发布日期：2009/10/30 12:00:00
实施日期：2010/6/1 12:00:00
中国标准分类号：H80
国际标准分类号：29.045
引用标准：GB/T 1550-1997;GB/T 1552-1995;GB/T 14847-1993
适用范围：本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为：4×10
GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定.汞探针电容-电压法
百检网 2021-07-31
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