标准号：GB/T 24581-2009
中文标准名称：低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
英文标准名称：Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
标准类型：H80
发布日期：2009/10/30 12:00:00
实施日期：2010/6/1 12:00:00
中国标准分类号：H80
国际标准分类号：29.045
引用标准：GB/T 1558;GB/T 6618;GB/T 13389;GB/T 14264;SEMI MF 1723;ASTM E131;ASTM E168;ASTM E177;ASTM E275
适用范围：本标准适用于检测硅单品中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10
GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
百检网 2021-07-31
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