BS EN 62374-1-2010 半导体装置.依赖时间的金属层间的介质击穿(TDDB)试验

百检网 2021-08-04

标准号：BS EN 62374-1-2010
中文标准名称：半导体装置.依赖时间的金属层间的介质击穿(TDDB)试验
英文标准名称：Semiconductor devices. Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers
标准类型：L40
发布日期：2010/12/31 12:00:00
实施日期：2010/12/31 12:00:00
中国标准分类号：L40
国际标准分类号：31.080.01
适用范围：This part of IEC 62374 describes a test method, test structure and lifetime estimation methodof the time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers applied insemiconductor devices.

百检能给您带来哪些改变？

1、检测行业全覆盖，满足不同的检测；

2、实验室全覆盖，就近分配本地化检测；

3、工程师一对一服务，让检测更精准；

4、免费初检，初检不收取检测费用；

5、自助下单快递免费上门取样；

6、周期短，费用低，服务周到；

7、拥有CMA、CNAS、CAL等权威资质；

8、检测报告权威有效、中国通用；

客户案例展示

上一篇《DIN 340-2006 直柄麻花钻.长型系列》

下一篇《DIN EN 14290-2004 锌和锌合金.二次原料》

版权与免责声明

①本网注名来源于“互联网”的所有作品，版权归原作者或者来源机构所有,如果有涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起一个月内与本网联系，联系邮箱service@baijiantest.com，否则视为默认百检网有权进行转载。

②本网注名来源于“百检网”的所有作品，版权归百检网所有，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。想要转载本网作品，请联系:service@baijiantest.com。已获本网授权的作品，应在授权范围内使用，并注明"来源：百检网"。违者本网将追究相关法律责任。

③本网所载作品仅代表作者独立观点，不代表百检立场，用户需作出独立判断，如有异议或投诉，请联系service@baijiantest.com