DLA SMD-5962-82007 REV C-2006 DLA SMD-5962-82007 REV C-2006 硅单片16千比特静态随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路

百检网 2021-08-20

标准号：DLA SMD-5962-82007 REV C-2006
中文标准名称：DLA SMD-5962-82007 REV C-2006 硅单片16千比特静态随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
英文标准名称：MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, NMOS 16K (16,384 X 1) BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON
发布日期：2006-04-03
中国标准分类号：L56
国际标准分类号：31.200

百检能给您带来哪些改变？

1、检测行业全覆盖，满足不同的检测；

2、实验室全覆盖，就近分配本地化检测；

3、工程师一对一服务，让检测更精准；

4、免费初检，初检不收取检测费用；

5、自助下单快递免费上门取样；

6、周期短，费用低，服务周到；

7、拥有CMA、CNAS、CAL等权威资质；

8、检测报告权威有效、中国通用；

客户案例展示

上一篇《PREN 4710-07-2014 PREN 4710-07-2014 》

下一篇《KS M ISO 3262-21-2007 KS M ISO 3262-21-2007 涂料用填充剂.规范和试验方法.第21部分:石英砂(地下天然石英) 》

版权与免责声明

①本网注名来源于“互联网”的所有作品，版权归原作者或者来源机构所有,如果有涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起一个月内与本网联系，联系邮箱service@baijiantest.com，否则视为默认百检网有权进行转载。

②本网注名来源于“百检网”的所有作品，版权归百检网所有，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。想要转载本网作品，请联系:service@baijiantest.com。已获本网授权的作品，应在授权范围内使用，并注明"来源：百检网"。违者本网将追究相关法律责任。

③本网所载作品仅代表作者独立观点，不代表百检立场，用户需作出独立判断，如有异议或投诉，请联系service@baijiantest.com