在半导体工业中，对半导体加入特定杂质的动作，称为“掺杂”，这些外来杂质，使半导体的电性发生改变，随着器件关键尺寸不断缩小，对主要参数精度要求，也水涨船高，元素污染，能量污染或其他的某些因素，都会导致相关电性参数的失效现象，为此需要进行相关的检测分析方法，常见方法有X射线光谱仪表面元素污染扫描，二次离子质谱分析等。实验室可以利用SIMS二次离子质谱进行掺杂元素浓度检测。
SIMS全称二次离子质谱（SecondIonMassSpectroscopy），是一种前沿的表面分析技术，原理是通过利用一次离子束不断地轰击靶材，使靶材表面的原子层出现溅射，溅射出正离子(团)，负离子(团)，中性粒子和光(电)子等，通过收集特定荷质比的带电粒子得到我们想要分析的表面元素信息；其超高的灵敏度，对某些元素的检测*限能够达到PPB的数量级。
SIMS选取的一次离子束的能量和电流密度，应根据所分析样品的IMP元素种类和Rp值深度范围，做出相应调整。避免造成严重破坏IMP深度分布曲线原貌进行掺杂工艺剂量分析时，应多次重复测量，剂量偏差不应超出3%。准确和直观检测出掺杂工艺的微小异常元素浓度的分析。
各种元素受溅射域能等的影响，二次离子质谱定性定量分析的难度增加，实验室提供进行TOF-SIMS元素掺杂浓度分析，TOF-SIMS全称飞行时间二次离子质谱，一次离子源通常有剥离源和分析源，离子束对样品表面进行轰击产生的二次离子，通过对分子离子峰和官能团碎片的分析，可以方便的确定表面化合物和有机样品的结构，决定了它在半导体表征方面具有的优异而又独特的功用，除此之外可以广泛应用于化学，生物，制药，微电子，空间分析等工业和研究领域。
实验室遵照ISO17025和GMP进行实验室管理，专注为生产过程中可能产生的杂质提供评估报告、为方法开发验证及样品元素检测等提供一系列的解决方案，常规检测平均3天出结果，加急样品支持当天到当天出报告。
