电子及电气元件环境试验
1. 温度冲击(温度循环）
检测标准（方法）：
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 107；
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法 1010.1；
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 1051；
电连接器试验方法 1000 类 环境试验 GJB1217A-2009 方法 1003。
2. 老炼
检测标准（方法）：
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 108；
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法1038/1039/1040/1042；
有失效率等级的无包封多层片式瓷介固定电容器通用规范 GJB192B-2011 4.5.16；
有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范 GJB63B-2001 4.7.20；
有失效率等级的非固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 733B-2011 4.5.21；
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法 1005.1；
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 1026。
3. 粒子碰撞噪声检测
检测标准（方法）：
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 217；
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 2052；
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法 2020.1。
4. 冲击
检测标准（方法）：
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法 2016；
电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GB1217A-2009 方法 2004；
5. 振动试验
检测标准（方法）：
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法 2056；
电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GJB1217A-2009 方法 2005；
有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.11。
6. 盐雾试验
检测标准（方法）：
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法 1041,1046；
电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GJB1217A-2009 方法 1001。
7. 耐湿
检测标准（方法）：
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法 1021；
电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GJB1217A-2009 方法 1002。
8. 稳态湿热
检测标准（方法）：
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 103。
9. 稳定性烘焙
检测标准（方法）：
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法 1008.1；
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法 1031。
10. 低气压
检测标准（方法）：
电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GJB1217A-2009 方法 1011；
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法 1001；
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法 1001。
11. 加速度
检测标准（方法）：
电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GB1217A-2009 方法 2011。
12. 密封
检测标准（方法）：
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 1071。
电子及电气元件性能检测
1. 电阻器
试验项目：电阻值
检测标准（方法）：
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 303；
有质量等级的薄膜固定电阻器总规范 GJB 244A-2001 4.8.5；
高稳定薄膜固定电阻器总规范 GJB 1929-1994 4.6.2；
片式膜固定电阻器通用规范 GJB 1432B-2009 4.5.2；
膜固定电阻网络,膜固定电阻和陶瓷电容的阻容网络通用规范 GJB 920A-2002 4.5.5；
有可靠性指标的精密固定电阻器总规范 GJB 1862-1994 4.7.5；
功率型线绕固定电阻器总规范 GJB 2828-97 4.6.2。
2. 电容器
试验项目：电容量
检测标准（方法）：
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 305；
1 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 468A-2011 4.5.3；
2 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 924A-2012 4.5.3；
高压多层瓷介固定电容器通用规范 GJB 1940A-2012 4.5.3；
有可靠性指标的单层片式瓷介电容器总规范 GJB 2442-95 4.7.3；
高可靠瓷介固定电容器通用规范 GJB 4157A-2011 4.6.7；
有可靠性指标的塑料膜（或纸——塑料膜）介质（金属,陶瓷或玻璃外壳密封）固定电容器总规范 GJB 732-1989 4.7.10；
有和无可靠性指标的塑料膜介质交直流固定电容器通用规范 GJB 972A-2002 4.5.8；
含宇航级金属化塑料膜介质密封固定电容器通用规范 GJB 1214A-2009 4.6.10；
含宇航级云母固定电容器通用规范 GJB 191B-2009 4.7.6；
有失效率等级的非固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 733B-2011 4.5.4；
非固体电解质钽电容器总规范 GJB 1312A-2001 4.7.6；
有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范 GJB 63B-2001 4.7.7；
非气密封固体电解质钽电容器总规范 GJB 1520-1992 4.7.5。
试验项目：损耗角正切
检测标准（方法）：
电子设备用固定电容器 **部分总规范 GB/T 2693-2001 4.8.1；
1 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 468A-2011 4.5.4；
2 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 924A-2012 4.5.4；
高压多层瓷介固定电容器通用规范 GJB 1940A-2012 4.5.4；
有可靠性指标的单层片式瓷介电容器总规范 GJB 2442-95 4.7.4；
高可靠瓷介固定电容器通用规范 GJB 4157A-2011 4.6.8；
有可靠性指标的塑料膜（或纸——塑料膜）介质（金属,陶瓷或玻璃外壳密封）固定电容器总规范 GJB 732-1989 4.7.11；
有和无可靠性指标的塑料膜介质交直流固定电容器通用规范 GJB 972A-2002 4.5.9；
含宇航级金属化塑料膜介质密封固定电容器通用规范 GJB 1214A-2009 4.6.11；
含宇航级云母固定电容器通用规范 GJB 191B-2009 4.7.7；
有失效率等级的非固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 733B-2011 4.5.5；
非固体电解质钽电容器总规范 GJB 1312A-2001 4.7.7；
有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范 GJB 63B-2001 4.7.8；
非气密封固体电解质钽电容器总规范 GJB 1520-1992 4.7.6。
试验项目：漏电流
检测标准（方法）：
有失效率等级的非固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 733B-2011 4.5.3；
非固体电解质钽电容器总规范 GJB 1312A-2001 4.7.5；
有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范 GJB 63B-2001 4.7.6；
非气密封固体电解质钽电容器总规范 GJB 1520-1992 4.7.4。
试验项目：绝缘电阻
检测标准（方法）：
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 302；
1 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 468A-2011 4.5.7；
2 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 924A-2012 4.5.6；
高压多层瓷介固定电容器通用规范 GJB 1940A-2012 4.5.8；
有可靠性指标的单层片式瓷介电容器总规范 GJB 2442-95 4.7.5；
高可靠瓷介固定电容器通用规范 GJB 4157A-2011 4.6.10；
有可靠性指标的塑料膜（或纸——塑料膜）介质（金属,陶瓷或玻璃外壳密封）固定电容器总规范 GJB 732-1989 4.7.9；
有和无可靠性指标的塑料膜介质交直流固定电容器通用规范 GJB 972A-2002 4.5.5；
含宇航级金属化塑料膜介质密封固定电容器通用规范 GJB 1214A-2009 4.6.9；
含宇航级云母固定电容器通用规范 GJB 191B-2009 4.7.5；
试验项目：介质耐电压
检测标准（方法）：
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 301；
1 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 468A-2011 4.5.5；
2 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 924A-2012 4.5.5；
高压多层瓷介固定电容器通用规范 GJB 1940A-2012 4.5.5；
有可靠性指标的单层片式瓷介电容器总规范 GJB 2442-95 4.7.6；
高可靠瓷介固定电容器通用规范 GJB 4157A-2011 4.6.9；
有可靠性指标的塑料膜（或纸——塑料膜）介质（金属,陶瓷或玻璃外壳密封）固定电容器总规范 GJB 732-1989 4.7.7；
有和无可靠性指标的塑料膜介质交直流固定电容器通用规范 GJB 972A-2002 4.5.6；
含宇航级金属化塑料膜介质密封固定电容器通用规范 GJB 1214A-2009 4.6.7；
含宇航级云母固定电容器通用规范 GJB 191B-2009 4.7.2。
3. 二*管
试验项目：正向电压
检测标准（方法）：
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 4011；
半导体器件分立器件和集成电路 第 2 部分：整流二级管 GB/T 4023-2015 7.1.2；
半导体器件 分立器件 第 3 部分：信号（包括开关）和调整二级管 GB/T 6571-1995 第 IV 篇 第 1 节 2，第 2 节 5。
试验项目：反向电流
检测标准（方法）：
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 4016；
半导体器件分立器件和集成电路 第 2 部分：整流二级管 GB/T 4023-2015 7.1.4；
半导体器件 分立器件 第 3 部分：信号（包括开关）和调整二级管 GB/T 6571-1995 第 IV 篇 第 1 节 1，第 2 节 4。
试验项目：击穿电压
检测标准（方法）：
半导体器件分立器件和集成电路 第 2 部分：整流二级管 GB/T 4023-2015 7.1.3。
试验项目：工作电压
检测标准（方法）：
半导体器件 分立器件 第 3 部分：信号（包括开关）和调整二级管 GB/T 6571-1995 第 IV 篇 第 2 节 1。
4. 双*型晶体管
试验项目：集电*-射*击穿电压
检测标准（方法）：
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 3011。
试验项目：集电*-基*击穿电压
检测标准（方法）：
半导体分立器件和集成电路 第 7 部分：双*型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 10.2。
试验项目：发射*-基*击穿电压
检测标准（方法）：
半导体分立器件和集成电路 第 7 部分：双*型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 10.2。
试验项目：集电*-基*截止电流
检测标准（方法）：
半导体分立器件和集成电路 第 7 部分：双*型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 2.1。
试验项目：集电*-发射*截止电流
检测标准（方法）：
半导体分立器件和集成电路 第 7 部分：双*型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 3。
试验项目：发射*-基*截止电流
检测标准（方法）：
半导体分立器件和集成电路 第 7 部分：双*型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 2.2。
试验项目：正向电流传输比
检测标准（方法）：
半导体分立器件和集成电路 第 7 部分：双*型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 2 节 7。
试验项目：集电*-发射*饱和电压
检测标准（方法）：
半导体分立器件和集成电路 第 7 部分：双*型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 4。
试验项目：基*-发射*饱和电压
检测标准（方法）：
半导体分立器件和集成电路 第 7 部分：双*型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 5。
5. 场效应晶体管
试验项目：漏一源击穿电压
检测标准（方法）：
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 3407。
试验项目：栅*漏泄电流
检测标准（方法）：
半导体器件 分立器件 第 8 部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 2。
试验项目：漏*电流
检测标准（方法）：
半导体器件 分立器件 第 8 部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 3。
试验项目：静态漏-源通态电阻
检测标准（方法）：
半导体器件 分立器件 第 8 部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 15。
试验项目：漏*电流
检测标准（方法）：
半导体器件 分立器件 第 8 部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 4。
试验项目：正向跨导
检测标准（方法）：
半导体器件 分立器件 第 8 部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 10。
6. 电位器
试验项目：总阻值
检测标准（方法）：
线绕预调电位器通用规范 GJB 917A-2011 4.5.2.2；
非线绕预调电位器通用规范 GJB 918A-2011 4.5.2.2。
试验项目：终端电阻
检测标准（方法）：
非线绕预调电位器通用规范 GJB 918A-2011 4.5.2.3。
7. 电感器
试验项目：电感量
检测标准（方法）：
有和无可靠性指标的模制射频固定电感器通用规范 GJB 67**-2002 4.5.3.2。
试验项目：品质因素
检测标准（方法）：
有和无可靠性指标的模制射频固定电感器通用规范 GJB 67**-2002 4.5.3.3。
试验项目：直流电阻
检测标准（方法）：
射频固定和可变片式电感器通用规范 GJB 1864A-2011 4.5.8.5。
8. 连接器
试验项目：介质耐电压
检测标准（方法）：
电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GB1217A-2009 方法 3001。
试验项目：绝缘电阻
检测标准（方法）：
电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GB1217A-2009 方法 3003。
9. 电磁继电器
试验项目：吸合电压
检测标准（方法）：
有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.3.1；
电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.3。
试验项目：释放电压
检测标准（方法）：
有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.3.3；
电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.3。
试验项目：吸合时间
检测标准（方法）：
有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.4；
电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。
试验项目：吸合断开
检测标准（方法）：
有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.4；
电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.5。
试验项目：吸合回跳
检测标准（方法）：
有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.4；
电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.5。
试验项目：释放时间
检测标准（方法）：
有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.4；
电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。
试验项目：释放断开
检测标准（方法）：
有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.4；
电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。
试验项目：释放回跳
检测标准（方法）：
有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.5.1；
电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。
试验项目：绕圈电阻
检测标准（方法）：
有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.1；
电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.1。
10. 固态继电器
试验项目：输出接通电阻
检测标准（方法）：
固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.15。
试验项目：输出电压降
检测标准（方法）：
固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.15。
试验项目：开启电流
检测标准（方法）：
固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.2。
试验项目：瞬态电压
检测标准（方法）：
固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.17。
试验项目：接通时间
检测标准（方法）：
固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.13。
试验项目：关断时间
检测标准（方法）：
固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.14。
试验项目：接通电压
检测标准（方法）：
固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.6。
试验项目：关断电压
检测标准（方法）：
固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.7。
试验项目：偏置电流
检测标准（方法）：
固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.4。
试验项目：控制电流
检测标准（方法）：
固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.5。
试验项目：输出漏电流
检测标准（方法）：
固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.16。
11. 半导体集成电路运算放大器
试验项目：输入失调电压
检测标准（方法）：
半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 5。
试验项目：输入失调电流
检测标准（方法）：
半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 6。
试验项目：输入偏置电流
检测标准（方法）：
半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 7。
试验项目：共模抑制比
检测标准（方法）：
半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 12。
试验项目：电源电压抑制比
检测标准（方法）：
半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 13。
试验项目：输出电压范围
检测标准（方法）：
半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 14。
试验项目：开环电压放大倍数
检测标准（方法）：
半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 10。
试验项目：电压转换速率（压摆率）
检测标准（方法）：
半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第 IV 篇 第 2 节 20。
12. 半导体集成电路电压比较器
试验项目：输入失调电压
检测标准（方法）：
半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.1。
试验项目：输入失调电流
检测标准（方法）：
半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.3。
试验项目：输入偏置电流
检测标准（方法）：
半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.5。
试验项目：静态电源电流
检测标准（方法）：
半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.7。
试验项目：共模抑制比
检测标准（方法）：
半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.9。
试验项目：电源电压抑制比
检测标准（方法）：
半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.11。
试验项目：输出电压幅度
检测标准（方法）：
半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.13。
试验项目：开环电压增益
检测标准（方法）：
半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.8。
13. 数字集成电路CMOS 电路
试验项目：输出高电平电压
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 1。
试验项目：输出低电平电压
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇第 2 节 1。
试验项目：电源电流
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 4。
试验项目：输入电流
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 2。
14. 半导体集成电路 TTL 电路
试验项目：功能测试
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 3 节 6。
试验项目：输入钳位电压
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 6。
试验项目：输出高电平电压
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 1。
试验项目：输出低电平电压
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 1。
试验项目：输入高电平电流
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 2。
试验项目：输入低电平电流
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 2。
试验项目：输出短路电流
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 3。
试验项目：输出高阻态电流
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 7。
试验项目：电源电流
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 4。
试验项目：延迟时间
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 3 节 4.2。
15. 半导体集成电路电压调整器
试验项目：线性调整率
检测标准（方法）：
半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇 第 3 节 2。
试验项目：负载调整率
检测标准（方法）：
半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 3 节 4。
试验项目：纹波抑制比
检测标准（方法）：
半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 3 节 3。
试验项目：静态电流
检测标准（方法）：
半导体集成电路第 3 部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 3 节 7。
16. 集成电路模拟/数字转换器
试验项目：数字输入电流
检测标准（方法）：
集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.14。
试验项目：输出高电平电压
检测标准（方法）：
集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.13。
试验项目：输出低电平电压
检测标准（方法）：
集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.13。
试验项目：增益误差
检测标准（方法）：
集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.3。
试验项目：零点误差
检测标准（方法）：
集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.1。
试验项目：线性误差
检测标准（方法）：
集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.5。
试验项目：微分线性误差
检测标准（方法）：
集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.7。
17. 集成电路数字/模拟转换器
试验项目：数字端输入电流
检测标准（方法）：
集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.14。
试验项目：增益误差
检测标准（方法）：
集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.3。
试验项目：零点误差
检测标准（方法）：
集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.1。
试验项目：线性误差
检测标准（方法）：
集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.5。
试验项目：微分线性误差
检测标准（方法）：
集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.7。
18. DC/DC 变换器
试验项目：输出电压
检测标准（方法）：
混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.1。
试验项目：输出电流
检测标准（方法）：
混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.2。
试验项目：输出纹波电压
检测标准（方法）：
混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.3。
试验项目：电压调整率
检测标准（方法）：
混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.4。
试验项目：电流调整率
检测标准（方法）：
混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.5。
试验项目：交叉调整率
检测标准（方法）：
混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.6。
试验项目：输入电流
检测标准（方法）：
混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.7。
试验项目：效率
检测标准（方法）：
混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.9。
19. 半导体集成电路存储器
试验项目：输出高电平电压
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 1。
试验项目：输出低电平电压
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 1。
试验项目：输出高阻态电流
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 7。
试验项目：输入高电平电流
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 2。
试验项目：输入低电平电流
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 2。
试验项目：工作状态时电源电流
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 4。
试验项目：待机状态时电源电流
检测标准（方法）：
半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 4。
