常用电子元器件检测方法与经验大全

　　元器件的检测是工程师的一项基本功，如何准确有效地检测元器件的相关参数，判断元器件的是否正常，不是一件千篇一律的事，必须根据不同的元器件采用不同的方法，从而判断元器件的正常与否。特别对初学者来说，熟练掌握常用元器件的检测方法和经验很有必要，以下对常用电子元器件的检测经验和方法进行详细介绍。

　　常用电子元器件检测方法与经验大全

　　电阻器的检测方法与经验

　　1、固定电阻器的检测

　　A）将两表笔（不分正负）分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。为了提高测量精度，应根据被测电阻标称值的大小来选择量程。由于欧姆挡刻度的非线性关系，它的中间一段分度较为精细，因此应使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置，即全刻度起始的20％～80％弧度范围内，以使测量更准确。根据电阻误差等级不同。读数与标称阻值之间分别允许有±5％、±10％或±20％的误差。如不相符，超出误差范围，则说明该电阻值变值了。

　　B）注意测试时，特别是在测几十kΩ以上阻值的电阻时，手不要触及表笔和电阻的导电部分；被检测的电阻从电路中焊下来，至少要焊开一个头，以免电路中的其他元件对测试产生影响，造成测量误差；色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定，但在使用时*好还是用万用表测试一下其实际阻值。

　　2、水泥电阻的检测

　　检测水泥电阻的方法及注意事项与检测普通固定电阻完全相同。

　　3、熔断电阻器的检测

　　在电路中，当熔断电阻器熔断开路后，可根据经验作出判断：若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦，可断定是其负荷过重，通过它的电流超过额定值很多倍所致；如果其表面无任何痕迹而开路，则表明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值。对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断，可借助万用表R×1挡来测量，为保证测量准确，应将熔断电阻器一端从电路上焊下。若测得的阻值为无穷大，则说明此熔断电阻器已失效开路，若测得的阻值与标称值相差甚远，表明电阻变值，也不宜再使用。在维修实践中发现，也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象，检测时也应予以注意。

　　4、电位器的检测

　　检查电位器时，**要转动旋柄，看看旋柄转动是否平滑，开关是否灵活，开关通、断时“喀哒”声是否清脆，并听一听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音，如有“沙沙”声，说明质量不好。用万用表测试时，先根据被测电位器阻值的大小，选择好万用表的合适电阻挡位，然后可按下述方法进行检测。

　　A）用万用表的欧姆挡测“1”、“2”两端，其读数应为电位器的标称阻值，如万用表的指针不动或阻值相差很多，则表明该电位器已损坏。

　　B）检测电位器的活动臂与电阻片的接触是否良好。用万用表的欧姆档测“1”、“2”（或“2”、“3”）两端，将电位器的转轴按逆时针方向旋至接近“关”的位置，这时电阻值越小越好。再顺时针慢慢旋转轴柄，电阻值应逐渐增大，表头中的指针应平稳移动。当轴柄旋至*端位置“3”时，阻值应接近电位器的标称值。如万用表的指针在电位器的轴柄转动过程中有跳动现象，说明活动触点有接触不良的故障。

　　5、正温度系数热敏电阻（PTC）的检测

　　检测时，用万用表R×1挡，具体可分两步操作：

　　A）常温检测（室内温度接近25℃）

　　将两表笔接触PTC热敏电阻的两引脚测出其实际阻值，并与标称阻值相对比，二者相差在±2Ω内即为正常。实际阻值若与标称阻值相差过大，则说明其性能不良或已损坏。

　　B）加温检测

　　在常温测试正常的基础上，即可进行第二步测试—加温检测，将一热源（例如电烙铁）靠近PTC热敏电阻对其加热，同时用万用表监测其电阻值是否随温度的升高而增大，如是，说明热敏电阻正常，若阻值无变化，说明其性能变劣，不能继续使用。注意不要使热源与PTC热敏电阻靠得过近或直接接触热敏电阻，以防止将其烫坏。

　　6、负温度系数热敏电阻(NTC)的检测

　　A）测量标称电阻值Rt

　　用万用表测量NTC热敏电阻的方法与测量普通固定电阻的方法相同，即根据NTC热敏电阻的标称阻值选择合适的电阻挡可直接测出Rt的实际值。但因NTC热敏电阻对温度很敏感，故测试时应注意以下几点：

　　①Rt是生产厂家在环境温度为25℃时所测得的，所以用万用表测量Rt时，亦应在环境温度接近25℃时进行，以保证测试的可信度。

　　②测量功率不得超过规定值，以免电流热效应引起测量误差。

　　③注意正确操作。测试时，不要用手捏住热敏电阻体，以防止人体温度对测试产生影响。

　　B）估测温度系数αt

　　先在室温t1下测得电阻值Rt1，再用电烙铁作热源，靠近热敏电阻Rt，测出电阻值RT2，同时用温度计测出此时热敏电阻RT表面的平均温度t2再进行计算。

　　7、压敏电阻的检测

　　用万用表的R×1k挡测量压敏电阻两引脚之间的正、反向绝缘电阻，均为无穷大，否则，说明漏电流大。若所测电阻很小，说明压敏电阻已损坏，不能使用。

　　8、光敏电阻的检测

　　A）用一黑纸片将光敏电阻的透光窗口遮住，此时万用表的指针基本保持不动，阻值接近无穷大。此值越大说明光敏电阻性能越好。若此值很小或接近为零，说明光敏电阻已烧穿损坏，不能再继续使用。

　　B）将一光源对准光敏电阻的透光窗口，此时万用表的指针应有较大幅度的摆动，阻值明显减小。此值越小说明光敏电阻性能越好。若此值很大甚至无穷大，表明光敏电阻内部开路损坏，也不能再继续使用。

　　C）将光敏电阻透光窗口对准入射光线，用小黑纸片在光敏电阻的遮光窗上部晃动，使其间断受光，此时万用表指针应随黑纸片的晃动而左右摆动。如果万用表指针始终停在某一位置不随纸片晃动而摆动，说明光敏电阻的光敏材料已经损坏。

　　电容器的检测方法与经验

　　1、固定电容器的检测

　　A）检测10pF以下的小电容因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R×10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值（指针向右摆动）为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。

　　B）检测10PF～001μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三*管的β值均为100以上，且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三*管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射*e和集电*c相接。由于复合三*管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。

　　C）对于001μF以上的固定电容，可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。

　　2、电解电容器的检测

　　A）因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。根据经验，一般情况下，1～47μF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47μF的电容可用R×100挡测量。

　　B）将万用表红表笔接负*，黑表笔接正*，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度（对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大），接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。

　　C.对于正、负*标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正*，红表笔接的是负*。

　　D.使用万用表电阻挡，采用给电解电容进行正、反向充电的方法，根据指针向右摆动幅度的大小，可估测出电解电容的容量。

　　3、可变电容器的检测

　　A）用手轻轻旋动转轴，应感觉十分平滑，不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象。将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时，转轴不应有松动的现象。

　　B）用一只手旋动转轴，另一只手轻摸动片组的外缘，不应感觉有任何松脱现象。转轴与动片之间接触不良的可变电容器，是不能再继续使用的。

　　C）将万用表置于R×10k挡，一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端，另一只手将转轴缓缓旋动几个来回，万用表指针都应在无穷大位置不动。在旋动转轴的过程中，如果指针有时指向零，说明动片和定片之间存在短路点；如果碰到某一角度，万用表读数不为无穷大而是出现一定阻值，说明可变电容器动片与定片之间存在漏电现象。

　　电感器、变压器检测方法与经验

　　1、色码电感器的的检测

　　将万用表置于R×1挡，红、黑表笔各接色码电感器的任一引出端，此时指针应向右摆动。根据测出的电阻值大小，可具体分下述三种情况进行鉴别：

　　A）被测色码电感器电阻值为零，其内部有短路性故障。

　　B）被测色码电感器直流电阻值的大小与绕制电感器线圈所用的漆包线径、绕制圈数有直接关系，只要能测出电阻值，则可认为被测色码电感器是正常的。

　　2、中周变压器的检测

　　A）将万用表拨至R×1挡，按照中周变压器的各绕组引脚排列规律，逐一检查各绕组的通断情况，进而判断其是否正常。

　　B）检测绝缘性能将万用表置于R×10k挡，做如下几种状态测试：

　　①初级绕组与次级绕组之间的电阻值；

　　②初级绕组与外壳之间的电阻值；

　　③次级绕组与外壳之间的电阻值。

　　上述测试结果分出现三种情况：

　　①阻值为无穷大：正常；

　　②阻值为零：有短路性故障；

　　③阻值小于无穷大，但大于零：有漏电性故障。

　　3、电源变压器的检测

　　A）通过观察变压器的外貌来检查其是否有明显异常现象

　　如线圈引线是否断裂，脱焊，绝缘材料是否有烧焦痕迹，铁心紧固螺杆是否有松动，硅钢片有无锈蚀，绕组线圈是否有外露等。

　　B）绝缘性测试

　　用万用表R×10k挡分别测量铁心与初级，初级与各次级、铁心与各次级、静电屏蔽层与衩次级、次级各绕组间的电阻值，万用表指针均应指在无穷大位置不动。否则，说明变压器绝缘性能不良。

　　C）线圈通断的检测

　　将万用表置于R×1挡，测试中，若某个绕组的电阻值为无穷大，则说明此绕组有断路性故障。

　　D）判别初、次级线圈

　　电源变压器初级引脚和次级引脚一般都是分别从两侧引出的，并且初级绕组多标有220V字样，次级绕组则标出额定电压值，如15V、24V、35V等。再根据这些标记进行识别。

　　E）空载电流的检测

　　①直接测量法：

　　将次级所有绕组全部开路，把万用表置于交流电流挡(500mA，串入初级绕组。当初级绕组的插头插入220V交流市电时，万用表所指示的便是空载电流值。此值不应大于变压器满载电流的10％～20％。一般常见电子设备电源变压器的正常空载电流应在100mA左右。如果超出太多，则说明变压器有短路性故障。

　　②间接测量法：

　　在变压器的初级绕组中串联一个10/5W的电阻，次级仍全部空载。把万用表拨至交流电压挡。加电后，用两表笔测出电阻R两端的电压降U，然后用欧姆定律算出空载电流I空，即I空=U/R。

　　F）空载电压的检测

　　将电源变压器的初级接220V市电，用万用表交流电压接依次测出各绕组的空载电压值(U21、U22、U23、U24)应符合要求值，允许误差范围一般为：高压绕组≤±10％，低压绕组≤±5％，带中心抽头的两组对称绕组的电压差应≤±2％。

　　G）一般小功率电源变压器允许温升为40℃～50℃，如果所用绝缘材料质量较好，允许温升还可提高。

　　H）检测判别各绕组的同名端

　　在使用电源变压器时，有时为了得到所需的次级电压，可将两个或多个次级绕组串联起来使用。采用串联法使用电源变压器时，参加串联的各绕组的同名端必须正确连接，不能搞错。否则，变压器不能正常工作。

　　I）电源变压器短路性故障的综合检测判别

　　电源变压器发生短路性故障后的主要症状是发热严重和次级绕组输出电压失常。通常，线圈内部匝间短路点越多，短路电流就越大，而变压器发热就越严重。

　　检测判断电源变压器是否有短路性故障的简单方法是测量空载电流(测试方法前面已经介绍)。存在短路故障的变压器，其空载电流值将远大于满载电流的10％。当短路严重时，变压器在空载加电后几十秒钟之内便会迅速发热，用手触摸铁心会有烫手的感觉。此时不用测量空载电流便可断定变压器有短路点存在。

　　二*管的检测方法与经验

　　1、检测小功率晶体二*管

　　A）判别正、负电*

　　①观察外壳上的的符号标记。通常在二*管的外壳上标有二*管的符号，带有三角形箭头的一端为正*，另一端是负*。

　　②观察外壳上的色点。在点接触二*管的外壳上，通常标有*性色点（白色或红色）。一般标有色点的一端即为正*。还有的二*管上标有色环，带色环的一端则为负*。

　　③以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正*，红表笔所接的一端则为负*。

　　B）检测*高工作频率fM

　　晶体二*管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二*管内部的触丝来加以区分，如点接触型二*管属于高频管，面接触型二*管多为低频管。另外，也可以用万用表R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1K的多为高频管。

　　C）检测*高反向击穿电压VRM

　　对于交流电来说，因为不断变化，因此*高反向工作电压也就是二*管承受的交流峰值电压。需要指出的是，*高反向工作电压并不是二*管的击穿电压。一般情况下，二*管的击穿电压要比*高反向工作电压高得多（约高一倍）。

　　2、检测玻封硅高速开关二*管

　　检测硅高速开关二*管的方法与检测普通二*管的方法相同。不同的是，这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5K～10K，反向电阻值为无穷大。

　　3、检测快恢复、超快恢复二*管

　　用万用表检测快恢复、超快恢复二*管的方法基本与检测塑封硅整流二*管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为45K左右，反向电阻为无穷大；再用R×1挡复测一次，一般正向电阻为几，反向电阻仍为无穷大。

　　4、检测双向触发二*管

　　将万用表置于R×1K挡，测双向触发二*管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。

　　将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚，用同样的方法测出VBR值。*后将VBO与VBR进行比较，两者的**值之差越小，说明被测双向触发二*管的对称性越好。

　　5、瞬态电压抑制二*管(TVS)的检测

　　用万用表R×1K挡测量管子的好坏，对于单*型的TVS，按照测量普通二*管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4KΩ左右，反向电阻为无穷大。

　　对于双向*型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。

　　6、高频变阻二*管的检测

　　A）识别正、负*

　　高频变阻二*管与普通二*管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二*管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二*管的色标颜色则为浅色。其*性规律与普通二*管相似，即带绿色环的一端为负*，不带绿色环的一端为正*。

　　B）测量正、反向电阻来判断其好坏

　　具体方法与测量普通二*管正、反向电阻的方法相同，当使用500型万用表R×1k挡测量时，正常的高频变阻二*管的正向电阻为5K～55K，反向电阻为无穷大。

　　7、变容二*管的检测

　　将万用表置于R×10k挡，无论红、黑表笔怎样对调测量，变容二*管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中，发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零，说明被测变容二*管有漏电故障或已经击穿损坏。对于变容二*管容量消失或内部的开路性故障，用万用表是无法检测判别的。必要时，可用替换法进行检查判断。

　　8、单色发光二*管的检测

　　在万用表外部附接一节15V干电池，将万用表置R×10或R×100挡。这种接法就相当于给万用表串接上了15V电压，使检测电压增加至3V（发光二*管的开启电压为2V）。检测时，用万用表两表笔轮换接触发光二*管的两管脚。若管子性能良好，必定有一次能正常发光，此时，黑表笔所接的为正*，红表笔所接的为负*。

　　9、红外发光二*管的检测

　　A）判别红外发光二*管的正、负电*。红外发光二*管有两个引脚，通常长引脚为正*，短引脚为负*。因红外发光二*管呈透明状，所以管壳内的电*清晰可见，内部电*较宽较大的一个为负*，而较窄且小的一个为正*。

　　B）将万用表置于R×1K挡，测量红外发光二*管的正、反向电阻，通常，正向电阻应在30K左右，反向电阻要在500K以上，这样的管子才可正常使用。要求反向电阻越大越好。

　　10、红外接收二*管的检测

　　A）识别管脚*性

　　①从外观上识别。常见的红外接收二*管外观颜色呈黑色。识别引脚时，面对受光窗口，从左至右，分别为正*和负*。另外，在红外接收二*管的管体顶端有一个小斜切平面，通常带有此斜切平面一端的引脚为负*，另一端为正*。

　　②将万用表置于R×1K挡，用来判别普通二*管正、负电*的方法进行检查，即交换红、黑表笔两次测量管子两引脚间的电阻值，正常时，所得阻值应为一大一小。以阻值较小的一次为准，红表笔所接的管脚为负*，黑表笔所接的管脚为正*。

　　B）检测性能好坏

　　用万用表电阻挡测量红外接收二*管正、反向电阻，根据正、反向电阻值的大小，即可初步判定红外接收二*管的好坏。

　　11、激光二*管的检测

　　将万用表置于R×1K挡，按照检测普通二*管正、反向电阻的方法，即可将激光二*管的管脚排列顺序确定。但检测时要注意，由于激光二*管的正向压降比普通二*管要大，所以检测正向电阻时，万用表指针仅略微向右偏转而已，而反向电阻则为无穷大。

　　三*管的检测方法与经验

　　1、中、小功率三*管的检测

　　A）已知型号和管脚排列的三*管，可按下述方法来判断其性能好坏：

　　①测量*间电阻：将万用表置于R×100或R×1K挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三*管的*间电阻要比锗材料三*管的*间电阻大得多。

　　②三*管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积：ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。

　　通过用万用表电阻直接测量三*管e－c*之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下：

　　万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡，对于PNP管，黑表管接e*，红表笔接c*，对于NPN型三*管，黑表笔接c*，红表笔接e*。要求测得的电阻越大越好。e－c间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。

　　③测量放大能力(β)：目前有些型号的万用表具有测量三*管hFE的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三*管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至挡，量程开关拨到ADJ位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示为零，然后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔分开，把被测三*管插入测试插座，即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。

　　另外：有此型号的中、小功率三*管，生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数β值，其颜色和β值的对应关系如表所示，但要注意，各厂家所用色标并不一定完全相同。

　　B）检测判别电*

　　①判定基*

　　用万用表R×100或R×1k挡测量三*管三个电*中每两个*之间的正、反向电阻值。当用**根表笔接某一电*，而第二表笔先后接触另外两个电*均测得低阻值时，则**根表笔所接的那个电*即为基*b。这时，要注意万用表表笔的*性，如果红表笔接的是基*b。黑表笔分别接在其他两*时，测得的阻值都较小，则可判定被测三*管为PNP型管；如果黑表笔接的是基*b，红表笔分别接触其他两*时，测得的阻值较小，则被测三*管为NPN型管。

　　②判定集电*c和发射*e（以PNP为例）

　　将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基*b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电*；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射*。

　　C）判别高频管与低频管

　　高频管的截止频率大于3MHz，而低频管的截止频率则小于3MHz，一般情况下，二者是不能互换的。

　　D）在路电压检测判断法

　　在实际应用中、小功率三*管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测三*管各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断其好坏。

　　2、大功率晶体三*管的检测

　　利用万用表检测中、小功率三*管的*性、管型及性能的各种方法，对检测大功率三*管来说基本上适用。但是，由于大功率三*管的工作电流比较大，因而其PN结的面积也较大。PN结较大，其反向饱和电流也必然增大。所以，若像测量中、小功率三*管*间电阻那样，使用万用表的R×1k挡测量，必然测得的电阻值很小，好像*间短路一样，所以通常使用R×10或R×1挡检测大功率三*管。

　　3、普通达林顿管的检测

　　用万用表对普通达林顿管的检测包括识别电*、区分PNP和NPN类型、估测放大能力等项内容。因为达林顿管的E－B*之间包含多个发射结，所以应该使用万用表能提供较高电压的R×10K挡进行测量。

　　4、大功率达林顿管的检测

　　检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。但由于大功率达林顿管内部设置了V3、R1、R2等保护和泄放漏电流元件，所以在检测量应将这些元件对测量数据的影响加以区分，以免造成误判。具体可按下述几个步骤进行：

　　A）用万用表R×10K挡测量B、C之间PN结电阻值，应明显测出具有单向导电性能。正、反向电阻值应有较大差异。

　　B）在大功率达林顿管B－E之间有两个PN结，并且接有电阻R1和R2。用万用表电阻挡检测时，当正向测量时，测到的阻值是B－E结正向电阻与R1、R2阻值并联的结果；当反向测量时，发射结截止，测出的则是（R1＋R2）电阻之和，大约为几百欧，且阻值固定，不随电阻挡位的变换而改变。但需要注意的是，有些大功率达林顿管在R1、R2、上还并有二*管，此时所测得的则不是（R1＋R2）之和，而是（R1＋R2）与两只二*管正向电阻之和的并联电阻值。

　　5、带阻尼行输出三*管的检测

　　将万用表置于R×1挡，通过单独测量带阻尼行输出三*管各电*之间的电阻值，即可判断其是否正常。具体测试原理，方法及步骤如下：

　　A）将红表笔接E，黑表笔接B，此时相当于测量大功率管B－E结的等效二*管与保护电阻R并联后的阻值，由于等效二*管的正向电阻较小，而保护电阻R的阻值一般也仅有20～50，所以，二者并联后的阻值也较小；反之，将表笔对调，即红表笔接B，黑表笔接E，则测得的是大功率管B－E结等效二*管的反向电阻值与保护电阻R的并联阻值，由于等效二*管反向电阻值较大，所以，此时测得的阻值即是保护电阻R的值，此值仍然较小。

　　B）将红表笔接C，黑表笔接B，此时相当于测量管内大功率管B－C结等效二*管的正向电阻，一般测得的阻值也较小；将红、黑表笔对调，即将红表笔接B，黑表笔接C，则相当于测量管内大功率管B－C结等效二*管的反向电阻，测得的阻值通常为无穷大。

　　C）将红表笔接E，黑表笔接C，相当于测量管内阻尼二*管的反向电阻，测得的阻值一般都较大，约300～∞；将红、黑表笔对调，即红表笔接C，黑表笔接E，则相当于测量管内阻尼二*管的正向电阻，测得的阻值一般都较小，约几欧至几十欧。

　　场效应管检测方法与经验

　　1、用指针式万用表对场效应管进行判别

　　A）用测电阻法判别结型场效应管的电*

　　根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电*。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电*，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电*的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电*分别是漏*D和源*S。因为对结型场效应管而言，漏*和源*可互换，剩下的电*肯定是栅*Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电*，另一只表笔依次去接触其余的两个电*，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电*为栅*，其余两电*分别为漏*和源*。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅*；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅*。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅*为止。

　　B）用测电阻法判别场效应管的好坏

　　测电阻法是用万用表测量场效应管的源*与漏*、栅*与源*、栅*与漏*、栅*Ｇ1与栅*Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：**将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源*Ｓ与漏*Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断*。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅*Ｇ1与Ｇ2之间、栅*与源*、栅*与漏*之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅*在管内断*，可用元件代换法进行检测。

　　C）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力

　　具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源*Ｓ，黑表笔接漏*Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源*间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅*Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅*上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏*电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源*间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅*表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。

　　根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的Ｇ*开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住Ｇ*后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。

　　运用这种方法时要说明几点：**，在测试场效应管用手捏住栅*时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。第二，此方法对MOS场效应管也适用。但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅*Ｇ允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅*，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅*，以防止人体感应电荷直接加到栅*，引起栅*击穿。第三，每次测量完毕，应当G-S*间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起ＶGＳ电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S*间电荷短路放掉才行。

　　D）用测电阻法判别无标志的场效应管

　　**用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源*Ｓ和漏*Ｄ，余下两个脚为**栅*G1和第二栅*G2。把先用两表笔测的源*Ｓ与漏*Ｄ之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电*为漏*Ｄ；红表笔所接的为源*Ｓ。用这种方法判别出来的Ｓ、Ｄ*，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ*；红表笔所接地是８*，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏*Ｄ、源*Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅*G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序。

　　E）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小

　　对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源*Ｓ、黑表笔接漏*Ｄ，这就相当于在源、漏*之间加了一个反向电压。此时栅*是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此时表内电压较高。当用手接触栅*Ｇ时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。

　　2、场效应管的使用注意事项

　　A）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，*大漏源电压、*大栅源电压和*大电流等参数的*限值。

　　B）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的*性。如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结，Ｎ沟道管栅*不能加正偏压；Ｐ沟道管栅*不能加负偏压，等等。

　　C）MOS场效应管由于输人阻抗*高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅*击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时*好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。

　　D）为了防止场效应管栅*感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源*；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，**不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。

　　E）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸５毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。

　　对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。

　　总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。

　　3、VMOS场效应管

　　VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（0.1μA左右），还具有耐压高（*高1200V）、工作电流大（1.**～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。

　　VMOS场效应功率管具有*高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此，VMOS管的并联得到广泛应用。众所周知，传统的MOS场效应管的栅*、源*和漏*大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:**，金属栅*采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏*是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源*S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，*后垂直向下到达漏*D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅*与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。

　　下面介绍检测VMOS管的方法：

　　a)判定栅*G

　　将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G*，因为它和另外两个管脚是绝缘的。

　　b)判定源*S、漏*D

　　由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S*与D*。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S*，红表笔接D*。

　　c)测量漏-源通态电阻RDS（on）

　　将G-S*短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S*，红表笔接D*，阻值应为几欧至十几欧。

　　由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

　　d)检查跨导

　　将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S*，黑表笔接D*，手持螺丝刀去碰触栅*，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。

　　注意事项：

　　1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。

　　2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二*管，本检测方法中的1、2项不再适用。

　　3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，**交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。

　　4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其*高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。

　　5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，*大功率才能达到30W。

　　6）多管并联后，由于*间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基*或栅*上串接防寄生振荡电阻。

　　可控硅检测方法与经验

　　可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。

　　1、可控硅的特性

　　可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳*A、阴*K、控制*G三个引出脚。双向可控硅有**阳*A1（T1），第二阳*A2（T2）、控制*G三个引出脚。

　　只有当单向可控硅阳*A与阴*K之间加有正向电压，同时控制*G与阴*间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳*A与阴*K间压降约1V。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳*A和阴*K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳*A电压拆除或阳*A、阴*K间电压*性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即使阳*A和阴*K间又重新加上正向电压，仍需在控制*G和阴*K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。

　　双向可控硅**阳*A1与第二阳*A2间，无论所加电压*性是正向还是反向，只要控制*G和**阳*A1间加有正负*性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当**阳*A1、第二阳*A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压*性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。

　　2、单向可控硅的检测

　　万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制*G，红表笔的引脚为阴*K，另一空脚为阳*A。此时将黑表笔接已判断了的阳*A，红表笔仍接阴*K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳*A和控制*G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳*A接黑表笔，阴*K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。

　　3、双向可控硅的检测

　　用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为**阳*A1和控制*G，另一空脚即为第二阳*A2。确定A1、G*后，再仔细测量A1、G*间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为**阳*A1，红表笔所接引脚为控制*G。将黑表笔接已确定的第二阳*A2，红表笔接**阳*A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G*瞬间短接，给G*加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳*A2，黑表笔接**阳*A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G*间再次瞬间短接，给G*加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G*间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚*性判断正确。

　　检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。

　　晶闸管(可控硅)的管脚判别

　　晶闸管管脚的判别可用下述方法：先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制*和阴*，所剩的一脚为阳*。再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳*和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳*，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴*，不摆动则为控制*。