半导体破坏性检测方法

百检网 2022-07-27

在常规半导体检测中,有时还采用破坏性的方法(如测PN结深度、键合强度等),较多的则属非破坏性测试。但是即使采用非破坏性的检测方法,一般也不在半导体器件和集成电路的半成品或在制品上进行直接测量。

其原因是:

(1)避免由于工艺检测引进损伤和沾污;

(2)从半导体器件和集成电路的现成结构上一般难以直接进行所需的工艺半导体检测项目。特别是当集成电路的集成密度增加、图形更加精细时,更难从测量集成电路芯片直接判断工艺中存在的问题。

因此,需要采用专门的测试样片进行测试。这些测试样片有的用于检验单项工艺步骤,有的则要经受几步连续工艺甚至完成全部工序之后才能进行测试检验。除了根据需要采用专门的测试样片之外,在用于加工正式产品的晶片内部,也在芯片图形之间以适当布局穿插一些包含各种测试结构的测试芯片,或在每个正式芯片的边角位置配置少量测试结构。

这些半导体检测的测试结构都是和正式芯片一起经历着完全相同的工艺步骤。从这些测试结构的测量中,可以较为可靠地了解到在同一晶片上所有芯片工艺控制的基本情况。

百检能给您带来哪些改变?

1、检测行业全覆盖,满足不同的检测;

2、实验室全覆盖,就近分配本地化检测;

3、工程师一对一服务,让检测更精准;

4、免费初检,初检不收取检测费用;

5、自助下单 快递免费上门取样;

6、周期短,费用低,服务周到;

7、拥有CMA、CNAS、CAL等权威资质;

8、检测报告权威有效、中国通用;

客户案例展示

  • 上海朗波王服饰有限公司
  • 浙江圣达生物药业股份有限公司
  • 天津市长庆电子科技有限公司
  • 上海纽特丝纺织品有限公司
  • 无锡露米娅纺织有限公司
  • 东方电气风电(凉山)有限公司